An 8GHz Internally Matched AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier with RC Stability Network  

8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计(英文)

作　　者：曾轩[1] 陈晓娟[1] 刘果果[1] 袁婷婷[1] 陈中子[1] 张辉[1] 王亮[1] 李诚瞻[1] 庞磊[1] 刘新宇[1] 刘键[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第8期1445-1448,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：8GHz 20W internally matched A1GaN/GaN HEMTs have been developed. The input and output matching net- works are realised with microstrip lines on a 0. 381mm thick alumina substrate. To improve the stability factor K of the device, a lossy RC network is used at the input of the device. The developed internally matched power amplifier module exhibits 43dBm （20W） power output with a 7.3dB linear gain,38.1% PAIE,and combined power efficiency of 70.6% at 8GHz.设计了工作在8GHz的基于AlGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片上RC有损网络.在8GHz测出连续波1dB压缩点时的输出功率为P1dB=43dBm(20W),线性增益7.3dB,最大PAE为38.1%,合成效率达到70.6%.

关 键 词：AlGaN/GaN HEMTs internally match power combining power amplifier 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]