铝基板上沉积氮化铝薄膜的制备及特性分析  

Preparation and properties of AlN films deposited on Al substrate

作　　者：刘文[1] 杨清斗[1] 李华平[1] 王质武[1] 

机构地区：[1]深圳大学光电子学研究所；广东省光电子器件与系统重点实验室；光电子器件与系统教育部重点实验室,广东深圳518060

出　　处：《材料热处理学报》2008年第4期157-160,共4页Transactions of Materials and Heat Treatment

基　　金：教育部(广东省)光电子器件与系统重点实验室开放基金项目(2007008)

摘　　要：采用直流反应磁控溅射方法,在铝基板上制备了AlN薄膜。利用X射线衍射仪、带能量色散谱仪的扫描电子显微镜、阻抗特性测试仪、椭圆偏振光谱仪、大荷载划痕仪等对薄膜特性进行测试,分析了不同溅射工艺条件对生长薄膜的影响。结果表明,获得了化学计量比一致、结合力良好、击穿场强达112V/μm的(100)多晶择优取向AlN薄膜。Aluminium nitride（AIN） thin film was deposited on aluminium substrate by DC reactive magnetron sputtering technique. The properties of the aluminium nitride thin films were analyzed by X-ray diffraction （XRD）, scanning electron microscopy （SEM） with energy dispersive spectrometer, impedance characteristic test instrument, spectroscopic ellipsometry（SE） and scratch tester. The influence of sputtering parameters on growth of thin films was examined. The results show that excellent preferred orientation AIN（100） thin film with the near-stoichiometric Al/N ratio 1 ： 1, high bonding strength and 112 V/μm of breakdown electric field strength is obtained.

关 键 词：氮化铝 反应磁控溅射 X射线衍射 化学计量比 击穿场强 结合力 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]