物理学将又一次推动电脑技术创新——下一代存储器MRAM有望于2010年取代当前的传统内存  

作　　者：吴江滨 

出　　处：《物理通报》2008年第9期7-7,34,共2页Physics Bulletin

摘　　要：德国科学家8月19日在Physics Review Letters上发表论文，宣布开发出一种目前最佳的利用自旋极化电子流对磁比特”进行超高速度赋值的技术．他们乐观地认为，利用这一技术将很快开发出无论存取速度或是存贮密度都可与常规存贮芯片媲美的磁随机存贮器（MRAM），并在2010年左右进入商业化生产．

关 键 词：技术创新 MRAM 存储器 物理学 随机存贮器 内存 传统 电脑 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]