硅微波功率器件二次发射极镇流研究  

Study on Dual Emitter Ballasting of Silicon Microwave Power Transistor

作　　者：王因生[1] 林金庭[1] 张树丹[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第12期912-915,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文报道了采用多晶硅电阻和扩散电阻组合而成的复合镇流电阻对硅微波功率器件进行二次发射极镇流的实验结果．The experimental results of dual emitter ballasting using a complex emitter ballasting resistor which is provided by a diffused silicon resistor and a polysilicon resistor in silicon microwave power transistor are reported.

关 键 词：硅微波功率器件 二次发射极镇流 镇流电阻 

分 类 号：TN385[电子电信—物理电子学]