An 8～20GHz Monolithic SPDT GaAs pin Diode Switch  

8～20GHz GaAs pin二极管单片单刀双掷开关(英文)

作　　者：吴茹菲[1] 尹军舰[1] 刘会东[1] 张海英[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2008年第10期1864-1867,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10002909);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~

摘　　要：Monolithic GaAs pin diode single pole double throw （SPDT） switches based on the fabrication technology of IMECAS are designed,fabricated,and tested. These SPDT switches achieve an insertion loss of 1.5dB,isolation of 32dB, and input and output return losses over 10dB from 8 to 20GHz. The switch design uses 2.5μm thick I-region GaAs pin diodes and a series-shunt-shunt switch topology in each arm. These performance characteristics are measured at a normal bias setting of 1.3V,which corresponds to 7mA of series diode bias current.基于中国科学院微电子研究所的GaAspin二极管工艺,设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关.在8～20GHz频段内,开关正向导通时的插入损耗最小值为1.5dB,输入和输出端的回波损耗大于10dB;开关关断状态的隔离度最大值为32dB.开关的支路采用串联-并联-并联的结构,其中的GaAs pin二极管基区厚为2.5μm.在1.3V的偏置电压下,正向导通的串联二极管工作电流为7mA.

关 键 词：X/Ku-band SPDT switches GAAS pin diodes 

分 类 号：TM564[电气工程—电器]