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SPDT: 作品数：90被引量：98H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信电气工程更多>>; 相关作者：魏洪涛张海英任要正廖月明要志宏更多>>; 相关机构：中国电子科技集团第十三研究所中国科学院微电子研究所哈尔滨工业大学电子科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家科技重大专项更多>>

基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片被引量：1: 《半导体技术》2024年第6期575-579,588,共6页徐伟赵子润刘会东李远鹏; 基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、...; 关键词：双通道多功能芯片增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT) 单刀双掷(SPDT)开关数控移相器数控衰减器

50-110 GHz,high isolation,and high-power linearity single-pole double-throw switch utilizing 100-nm GaN HEMT technology: 《The Journal of China Universities of Posts and Telecommunications》2024年第2期38-43,71,共7页Han Qunfei Hu Sanming Zhang Tianyu Chen Qing Shen Yizhu Wang Weibo Tao Hongqi; This article presents the design and performance of a single-pole double-throw(SPDT)switch operating in 50-110 GHz.The switch is fabricated in a 100-nm GaN high-electron-mobility transistors(HEMT)technology.To realize...; 关键词：GaN high-electron-mobility transistors(HEMT) millimeter-wave single-pole double-throw(SPDT) switch

一种100MHz~12GHz高功率SPDT射频开关: 《微电子学》2023年第3期385-389,共5页袁波吴秀龙谢卓恒赵强秦谋; 重庆市技术创新与应用发展专项项目(CSTC2021 JSCX-GKSB0092); 基于0.13μm CMOS SOI工艺,设计并实现了一种100 MHz~12 GHz高功率SPDT射频开关。该射频开关为吸收式射频开关,开关支路为串并联的拓扑结构。采用负压偏置设计,减小了插入损耗,提高了隔离度。采用多级开关管堆叠设计,提高了开关的输入1...; 关键词：高功率高隔离度射频开关 SOI

硫化锌晶体切削表面质量和切削参数优化研究被引量：3: 《稀有金属》2023年第2期315-321,共7页郭彦军杨晓京李茂忠康杰张万清谢启明; 国家自然科学基金项目(51765027);昆明理工大学分析测试基金资助项目(2020P20191103002)资助。; 单点金刚石车削(SPDT)硫化锌(ZnS)晶体时,切削参数对表面质量有显著影响。因此,为获得高质量的ZnS晶体表面,选取主轴转速、进给速度、切削深度为影响表面质量的工艺参数,采用正交实验方法对ZnS晶体进行了车削实验。以表面粗糙度(Ra)值...; 关键词：硫化锌(ZnS)晶体单点金刚石车削(SPDT) 正交实验表面质量最佳切削参数

基于介质谐振器和PCB技术的SPDT滤波开关被引量：2: 《重庆邮电大学学报（自然科学版）》2022年第4期694-699,共6页张朋飞秦伟刘疆陈建新; 国家自然科学基金(61971244);江苏省“青蓝工程”。; 针对时分双工(time division duplex,TDD)子系统同时对滤波器和开关的需求,将二者相融合提出了一种滤波开关设计方案。介质谐振器滤波器因具有高Q值、低损耗等特点而被广泛研究,然而其不易与PIN管集成,难以实现开关功能。基于介质谐振...; 关键词：介质谐振器印刷电路板(PCB)技术滤波开关单刀双掷(SPDT)

5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关被引量：2: 《半导体技术》2022年第1期55-59,共5页袁丹丹张志浩张艺殷锐昊章国豪; 国家重点研发计划资助项目(2018YFB1802100);广东省“珠江人才计划”本土创新科研团队资助项目(2017BT01X168)。; 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片。为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好...; 关键词：5G毫米波单刀双掷(SPDT)开关 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 低插损高隔离

25~40GHz非对称单刀双掷开关的设计与实现: 《半导体技术》2020年第10期754-759,共6页张浩汪璨星; 针对Ka波段单片收发(T/R)集成电路对发射大功率和高隔离度的需求,分析了传统单刀双掷(SPDT)开关中并联、串联晶体管尺寸对插入损耗、隔离度和线性度的影响,设计了一款非对称的毫米波单刀双掷开关,通过去除发射通道上的并联支路,提高发...; 关键词：单刀双掷(SPDT)开关非对称 KA波段锗硅(SiGe) BICMOS工艺

应用于5G微波开关的GaAs pin开关二极管被引量：1: 《半导体技术》2020年第6期460-465,共6页陈建星林伟铭邱文宗林伟林易展郑伯涛王淋雨章剑清; 研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压。提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制。金属互连线使...; 关键词：GAAS PIN二极管高台面空气桥单刀双掷(SPDT)开关

刀尖微结构SPDT振动压印装置及其试验研究: 《机电工程》2019年第12期1282-1285,共4页吕俊杰俞虹飞任旭冯凯王艺蒙; 国家自然科学基金资助项目(51775153); 针对拉刀前刀面内凹且材质坚硬,难以实现刀尖表面微结构加工的问题,对单点金刚石刀具(SPDT)振动压印制备微结构的加工原理进行了研究,提出了一种刀尖微结构SPDT振动压印装置;利用此装置成功在试验拉刀前刀面制备了3排×30列,最大圆截面...; 关键词：内凹型表面刀尖微结构单点金刚石刀具振动压印

一种正电压控制的单片微波集成单刀双掷开关被引量：6: 《半导体技术》2019年第7期526-530,共5页刘方罡要志宏; 设计了一款GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成正电压控制开关。该电路设计采用片上集成隔直电容,对传统负电压控制开关的拓扑结构进行改进。针对PHEMT开关低频(0.1 GHz)下1 dB压缩点输入功率(Pi(1 dB))陡降问题进行分析,...; 关键词：砷化镓(GaAs) 单片微波集成电路(MMIC) 单刀双掷(SPDT)开关正电压控制开关功率压缩

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