LPE生长外延片超薄有源层结构的SEM研究  

SEM Study on Ultra-thin Active Layer Struture of LPE Wafers

作　　者：王晓华[1] 任大翠[1] 

机构地区：[1]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室

出　　处：《长春光学精密机械学院学报》1997年第4期25-26,40,共2页Journal of Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics

摘　　要：通过对液相外延（LPE）生长的外延片不同处理方法的研究，摸索出一条利用扫描电子显微镜（SEM）来观测有源区厚度的有效方法──蒸金法，最优可观察有源区厚度20nm，对设计厚度为18nm结构来说[1]，这是一种便利而有效的观察手段。This Paper presents three operating mehtods of epitaxial wafers and explores a way using a S-4200 SEM to measure the active layer thickness, that is the method of goldplating, The optimum thickness observed is 20nm, For the designed thickness of 18nm as in this paper, this is a convenient and useful means.

关 键 词：液相外延 激光器 超薄层 量子阱 外延片 SEM 

分 类 号：TN243[电子电信—物理电子学] TN248.4