脉冲激光沉积系统(PLD)的应用——制备GaN薄膜  

Application of Pulsed Laser Deposition PLD System:Making GaN Thin Film

作　　者：李晓兰[1] 薛琴[1] 王建秋[1] 

机构地区：[1]江西师范大学物理与通信电子学院江西省光电子与通信重点实验室,江西南昌330027

出　　处：《现代电子技术》2008年第22期12-14,共3页Modern Electronics Technique

基　　金：江西省光电子与通信重点实验室开放基金资助项目(2004002)

摘　　要：采用脉冲激光沉积技术,在Al2O3衬底上生长GaN薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究不同沉积温度、不同沉积压强对所生长的GaN薄膜晶体结构特征的影响。研究表明,在750℃的沉积温度时,GaN薄膜的结晶质量较高;在20 Pa以下的沉积气压下,GaN薄膜的晶体质量随着沉积气压的升高而提高。By a Pulsed Laser Deposition（PLD） ,GaN films have grown on Al2O3 substrates. The influence of different substrate temperature and different deposition pressure on the crystallinity of GaN films are systematically studied by X--ray Dif fraction（XRD）, Atomic Force Microscope（AFM）. It is found that the high--quality hexagonal wurtzite structures using a substrate temperature of 750 ℃, and the crystalline quality of the GaN films is improved with increasing deposition pressure to 20Pa.

关 键 词：脉冲激光沉积系统 GAN材料 薄膜材料 沉积温度 沉积气压 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]