低应力厚膜SOI晶片研究  

Research on Low-stress Thick-film SOI Wafer

作　　者：颜秀文[1] 刘恺[1] 刘东明[1] 蓝镇立[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十八研究所,湖南长沙410111

出　　处：《电力电子技术》2008年第12期41-41,59,共2页Power Electronics

摘　　要：利用离子注入、湿氧氧化、低温键合、背面减薄等工艺成功制备了低应力厚膜SOI晶片,并介绍了厚膜SOI晶片的厚度、界面和应力。该晶片的各层区域分明,界面平整,上层硅厚度为76.5μm,SiO2埋层厚度为0.865μm;晶片键合良好,有效键合面积大于95%,键合强度大于13.54J/m2;表面应力小于12.6MPa,适用于MEMS器件。Low-stress thick-film SOI wafer is prepared by ion implantation,wet oxidation,low-temperature wafer bonding and back grind et al,and film thickness,bonded interface and stress of thick-film SOI wafer are characterized.The result shows the bonding interface is clear, and there is no void in the bonding interface.Top silicon layer is 76.5 μm, buried SiO2 layer is 0.865μm, bonding strength is more than 13.54 J/m^2, and surface stress is lower than 12.6 MPa.

关 键 词：厚膜工艺 晶片/SOI晶片 低应力 

分 类 号：TM205[一般工业技术—材料科学与工程]