刘恺

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供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
发文主题：厚膜工艺厚膜晶体硅晶片电池效率更多>>
发文领域：电气工程一般工业技术更多>>
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低应力厚膜SOI晶片研究
《电力电子技术》2008年第12期41-41,59,共2页颜秀文 刘恺 刘东明 蓝镇立 
利用离子注入、湿氧氧化、低温键合、背面减薄等工艺成功制备了低应力厚膜SOI晶片,并介绍了厚膜SOI晶片的厚度、界面和应力。该晶片的各层区域分明,界面平整,上层硅厚度为76.5μm,SiO2埋层厚度为0.865μm;晶片键合良好,有效键合面积大于...
关键词：厚膜工艺 晶片/SOI晶片 低应力 
25MW太阳电池生产线建设技术分析与建议
《太阳能》2008年第1期64-66,共3页向小龙 刘恺 程远贵 唐景庭 
详细介绍了晶体硅太阳电池生产线整线建设的各个关键环节,初步分析了行业的经营风险、投资经济性,并对产业今后的发展提出了建议。
关键词：25MW 晶体硅 太阳电池生产线 电池效率 工厂布局 
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