蓝镇立

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低应力厚膜SOI晶片研究
《电力电子技术》2008年第12期41-41,59,共2页颜秀文 刘恺 刘东明 蓝镇立 
利用离子注入、湿氧氧化、低温键合、背面减薄等工艺成功制备了低应力厚膜SOI晶片,并介绍了厚膜SOI晶片的厚度、界面和应力。该晶片的各层区域分明,界面平整,上层硅厚度为76.5μm,SiO2埋层厚度为0.865μm;晶片键合良好,有效键合面积大于...
关键词：厚膜工艺 晶片/SOI晶片 低应力 
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