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机构地区:[1]常州工学院理学院,江苏常州213002 [2]常州工学院电子信息与电气工程学院,江苏常州213002 [3]华中师范大学物理科学与技术学院,武汉430079
出 处:《华中师范大学学报(自然科学版)》2008年第4期549-552,共4页Journal of Central China Normal University:Natural Sciences
基 金:国家自然科学基金资助项目(60490291).
摘 要:采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功地制备了(Sm)TbCo/Cr非晶垂直磁化膜,并就薄膜组分对其磁特性的影响进行了研究.部分Tb原子取代Sm以后,薄膜仍然具有较高的磁各项异性.薄膜组分为(Sm0.286Tb0.714)31Co69/Cr时,其饱和磁化强度Ms为330 emu/cm3,矫顽力为5.0 KOe;薄膜组分为(Sm0.343Tb0.657)31Co69/Cr时,其饱和磁化强度Ms为385 emu/cm3,矫顽力为4.7 KOe.薄膜组分对SmTbCo/Cr非晶垂直磁化膜的磁特性影响,可以通过对薄膜结构特性的分析得到合理的解释.Amorphous (Sm)TbCo/Cr films with perpendicular anisotropy were successsfully prepared by r. f magnetron sputtering and the composition effecs on the magnetic properties were investigated. For Tb partially substituted with Sm, the RE-TM alloy films still possess large perpendicular anisotropy. When the composition of (Sm)TbCo/ Cr film is (Sm0.286Tb0.714)alCo69/Cr , the saturation magnetization Ms is 330 emu/cma, the coercivity is 5. 0 KOe. When the composition of (Sm)TbCo/Cr film is (Sm0.343 Tb0.657 )31C069/Cr,the saturation magnetization Ms becomes 330 emu/cm3 , and the coercivity changes to be 4. 7 KOe. The compasition on the magnetic properties can be explained with the feeri-magnetical structure of RE-TM thin films.
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