InGaAs/InP DHBT的基极-集电极设计  

作　　者：金智[1] 刘新宇[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室,北京100029

出　　处：《中国科学（E辑）》2008年第9期1521-1528,共8页Science in China(Series E)

基　　金：国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2002CB311902)资助

摘　　要：研究了在InGaAs/InP DHBT中,组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响.提出了有效过渡层的概念.在组分非连续渐变的结构中,有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中.对不同的Kirk效应条件,给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相对应的δ掺杂浓度的公式.最大集电极掺杂浓度和最大Kirk电流密度都依赖于δ掺杂层.优化δ掺杂能大幅度提高器件的Kirk电流密度.

关 键 词：INP DHBT 集电极 Kirk电流 

分 类 号：TN43[电子电信—微电子学与固体电子学]