硅液相外延工艺研究  

作　　者：江鉴[1] 张仕国[2] 

机构地区：[1]航天工业总公司八院809所 [2]浙江大学硅材料科学国家重点实验室

出　　处：《上海航天》1998年第1期39-61,共23页Aerospace Shanghai

摘　　要：根据硅液相外延研究过程中的现象及结果，具体讨论了硅液相外延工艺中四个关键环节，给出了衬底处理，溶源，衬底保护，残余熔体处理的方法。

关 键 词：硅 液相外延 薄膜 LPE 衬底 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN304.054