张仕国

作品数：14被引量：15H指数：2
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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：硅液相外延X氧化硅SIO更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《真空电子技术》《物理》《Journal of Semiconductors》更多>>
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反应蒸发制备nmSi-SiO_x发光薄膜
《真空科学与技术》1999年第5期331-335,共5页张仕国 樊瑞新 邓晓清 袁骏 陈伟 
国家自然科学基金重大项目! (6 9890 2 30 );浙江省自然科学基金和国家教委博士点基金
报道了用真空反应蒸发制备nmSi/SiOx 薄膜 ,制备出含有不同纳米尺寸硅颗粒的薄膜 ,研究了不同条件下得到的nmSi SiOx 薄膜的结构和组分。实验发现以SiO为蒸发源制备的薄膜能够实现光致发光。初步分析nmSi SiOx 薄膜发光机制可能是由纳...
关键词：反应蒸发 发光 薄膜 纳米硅 氧化硅 
硅液相外延生长的晶向自动偏离现象被引量：2
《上海航天》1999年第1期27-29,共3页江鉴 张仕国 
浙江省自然科学基金;高教博士点资金
通过对液相外延的薄膜Ｘ衍射测试，结果显示不论衬底是否偏离［１１１］晶向，外延层在同一衍射位置都出现了双峰。经比较分析，确认了硅（１１１）面在液相外延生长时存在晶向自动偏转现象。
关键词：薄膜工艺 液相外延 晶体生长 硅 自动偏离 
衬底温度对纳米Si-SiO_x薄膜的结构和组分的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第12期903-907,共5页张仕国 张伟 袁骏 樊瑞新 
本文报道用真空蒸发制备含氧硅薄膜的技术，研究了衬底温度对薄膜结构和组分的影响．实验发现在真空为５×１０－３Ｐａ、衬底温度在２８０～４８０℃范围内，随着温度的提高，薄膜由非晶、转化为纳米晶体、再转化为多晶，氧含量也随着...
关键词：纳米硅 衬底 氧化硅 半导体薄膜技术 
硅液相外延的线、点生长被引量：2
《上海航天》1998年第4期62-64,共3页江鉴 张仕国 
研究了硅液相外延层的表面形貌与衬底的初始状态的关系。实验结果表明，在采用有线性划痕的衬底时，可以在硅（１１１）面实现与三维集成技术中横向生长不同的线外延生长；而用表面形貌较好但有微缺陷的衬底时，适当控制液相外延生长过...
关键词：薄膜工艺 液相外延 线生长 点生长 硅 
纳米Si-SiO_x薄膜的发光
《材料科学与工程》1998年第2期24-26,共3页邓晓清 张仕国 樊瑞新 
本文阐述了纳米硅－氧化硅光致发光的意义和机理，还分别介绍了目前各种用于制备纳米硅－氧化硅的方法和研究现状，最后讨论了今后的发展趋势。
关键词：发光 硅 氧化硅 薄膜 纳米级 
用双晶 X 射线衍射研究 Si 液相外延层
《浙江大学学报（自然科学版）》1998年第2期188-192,共5页张仕国 江鉴 陈立登 袁骏 张民杰 
国家教委资助;浙江大学回国人员启动基金
以Ｉｎ作溶剂、使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生长了硅外延层．双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层...
关键词：双晶X射线衍射 液相外延 掺杂 硅 
硅液相外延工艺研究被引量：3
《上海航天》1998年第1期39-61,共23页江鉴 张仕国 
根据硅液相外延研究过程中的现象及结果，具体讨论了硅液相外延工艺中四个关键环节，给出了衬底处理，溶源，衬底保护，残余熔体处理的方法。
关键词：硅 液相外延 薄膜 LPE 衬底 
Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜被引量：2
《Journal of Semiconductors》1997年第8期568-572,共5页张伟 张仕国 袁骏 
浙江省自然科学基金;国家教委博士点基金
本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术．实验发现在衬底温度为470～850℃的范围内均可得到单晶薄膜，X射线衍射分析表明，薄膜只在2θ=58．9°处出现一个衍射峰，其生长晶面为（1120），是AlN的解理面．在较高的生长...
关键词：半导体 硅衬底 反应蒸发法 AIN 单晶薄膜 
H在a-SiN_x:H光电导衰减中的作用
《真空科学与技术》1997年第1期7-11,共5页张仕国 D.E.Brodie 
国家教委留学回国人员科研启动基金
在真空蒸发硅的同时，分别用N离子和NH3离子轰击生长表面，获得具有不同H和N含量的a－SiNx和a－SiNx：H薄膜。对于这些薄膜，只要它们具有光电导特性，就可以观察到光电导衰减现象。实验分析表明，H在光电导衰减中不起直接作用，而是通...
关键词：非晶 氮化硅 光电导衰减 真空蒸发 薄膜 
硅液相外延的最新进展
《物理》1996年第11期666-670,共5页江鉴 张仕国 
文章系统综述了硅液相外延最新进展，总结了近期硅液相外延技术在系统改进、低温外延、器件应用等各方面的成果，指出硅液相外延技术将在硅器件制造中发挥更大的作用。
关键词：硅液相外延 液相色延系统 超晶格器件 
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