硅液相外延的线、点生长  

THE AUTOMATIC DEFLECTION OF CRYSTALORIENTATION IN SI LIQUID PHASE EPITAXY

作　　者：江鉴[1] 张仕国[2] 

机构地区：[1]航天工业总公司八院809所 [2]浙江大学硅材料科学国家重点实验室

出　　处：《上海航天》1998年第4期62-64,共3页Aerospace Shanghai

摘　　要：研究了硅液相外延层的表面形貌与衬底的初始状态的关系。实验结果表明，在采用有线性划痕的衬底时，可以在硅（１１１）面实现与三维集成技术中横向生长不同的线外延生长；而用表面形貌较好但有微缺陷的衬底时，适当控制液相外延生长过程，则可以在硅（１１１）面可以实现单晶点外延生长。This research studies the effects of substrate on Si liquid phase epitaxy layer; it is reported that line and point Si liquid phase epitaxy methods can be realized on (111) Si substrates.

关 键 词：薄膜工艺 液相外延 线生长 点生长 硅 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN304.054