应用于深紫外波段的AlGaN光电探测器研究  

作　　者：孙晓娟 

出　　处：《光机电信息》2008年第12期11-14,共4页OME Information

摘　　要：本文报道了肖特基二极管深紫外光电探测器的制备。此器件制作在GaN外延层上,其中外延层利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)的方法生长在4in的Si(111)片上。利用光谱响应度测量法确定GaN的截止波长在近紫外波段(200～400nm);在紫外波段(5～20nm),利用位于Berliner Elektronen speicherring-Gesellschaft für Synchrotronstrahlung(BESSY)的Physikalisch-Technische Bundesanstalt(PTB)设备完成了绝对光谱响应度测量与同步加速器辐射。此工作是在欧洲空间局(ESA)支持的盲区太阳探测器项目框架下完成的。

关 键 词：紫外光电探测器 ALGAN 紫外波段 金属有机化学汽相沉积 绝对光谱响应度 SI(111) 同步加速器辐射 应用 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学] TN304.23