微通道板SiO_2防离子反馈膜技术研究  被引量:4

Technology Investigation on SiO_2 Ion Barrier Film of Microchannel Plate

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作  者:李野[1] 姜德龙[1] 向嵘[1] 付申成[1] 王国政[1] 吴奎[1] 王新[1] 端木庆铎[1] 富丽晨[1] 田景全[1] 

机构地区:[1]长春理工大学,吉林长春130022

出  处:《电子学报》2008年第12期2400-2404,共5页Acta Electronica Sinica

摘  要:本文利用射频磁控溅射方法,在微通道板输入面上成功地制备出二氧化硅防离子反馈膜.通过对二氧化硅防离子反馈膜的电子透过特性测试,给出了特性曲线.利用蒙特卡罗模拟方法对二氧化硅和三氧化二铝两种防离子反馈膜的电子透过和离子阻止能力进行了分析和比较,得出了二氧化硅薄膜比三氧化二铝薄膜对电子的透过特性稍好,而后者比前者对离子的阻止能力较优越的结论.Silicon oxide ion barrier film was successfully fabricated on the input-face of microchannel plate by magnetron sputtering method. The electron transmission characteristics of silicon oxide ion barrier film were measured and the results were given. The electron-transmission and ion-stopping properties of two different ion barrier films ( silicon oxide and aluminum oxide) were analyzed and compared by Monte Carlo simulation method. The electron-transmission property of silicon oxide thin film is better than that of aluminum oxide thin film and the ion-barrier films is inferior to that of aluminum oxide ion barrier film.

关 键 词:微通道板 二氧化硅 防离子反馈膜 蒙特卡罗模拟 

分 类 号:TN304[电子电信—物理电子学]

 

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