田景全

作品数：38被引量：163H指数：7
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发文领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术核科学技术更多>>
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基于众值理论的微光图像帧积分算法被引量：3
《电子学报》2011年第10期2217-2220,共4页陈立 李野 秦旭磊 田景全 
帧积分算法是图像增强技术中常用的一种方法,它在处理微光图像时有一定的局限性.本文对此做了进一步的实验与讨论,提出了一种改进的算法———众值帧积分.众值帧积分是对邻帧内对应像素点的灰度值作数学统计,并取出现几率最大的像素灰...
关键词：噪声 帧积分 众值帧积分 微光图像 峰值信噪比 
溅射功率对NiO薄膜性质的影响被引量：1
《液晶与显示》2011年第2期158-160,共3页王新 刘楠 向嵘 李野 端木庆铎 田景全 
国家自然科学基金(No.11004016);吉林省科技厅基金(No.20080170)
在室温条件下,采用射频磁控溅射的方法在石英衬底上制备了NiO薄膜,深入研究了不同溅射功率对NiO的结构、光学和电学特性的影响。随着溅射功率的升高,NiO薄膜逐渐由非晶态薄膜转变成具有(111)择优取向的晶态薄膜,同时发现NiO薄膜在可见...
关键词：射频磁控溅射 氧化镍 结构 光学 电学 
基于氧化铝缓冲层的Si基ZnO薄膜研究被引量：4
《兵工学报》2010年第8期1063-1066,共4页向嵘 王新 姜德龙 李野 田景全 
吉林省科技发展计划基金项目(20080170)
高质量的ZnO薄膜通常生长在蓝宝石等晶格匹配好的衬底上,在晶格失配较大的Si衬底上很难得到高质量的ZnO薄膜,而在Si衬底上制备高质量的ZnO薄膜更具有广泛应用前景。本文采用反应磁控溅射的方法,在Si衬底上,通过引入Al2O3缓冲层,在不同...
关键词：半导体技术 ZNO薄膜 Al2O3缓冲层 X射线衍射 发光光谱 
氧化硅薄膜的制备和性质研究被引量：3
《微电子学》2010年第3期454-456,共3页王新 向嵘 李野 王国政 姜德龙 端木庆铎 田景全 
吉林省科技厅青年科研基金资助项目(20080170)
在室温条件下,采用反应磁控溅射方法,在硅衬底上制备氧化硅薄膜。研究了制备过程中不同氧气含量时氧化硅薄膜的生长速率、薄膜中的O/Si原子比例、表面粗糙度、薄膜的介电性能。发现薄膜的生长速率和介电常数随溅射时氧气含量的增加先增...
关键词：磁控溅射 氧化硅 生长速率 介电常数 原子比例 
磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率(英文)被引量：3
《发光学报》2009年第6期888-891,共4页姜德龙 王新 向嵘 王国政 田景全 
Project supported by the Technological Development Project of Jilin Province in China (20080170)~~
氧化硅薄膜是半导体工业中常见的薄膜材料,通常采用化学气相沉积方法制备。但是这种制备方法存在缺欠。采用磁控溅射的方法首先在石英衬底上制备了氧化硅薄膜。研究了射频功率、氧气含量和溅射压强对氧化硅薄膜沉积速率的影响。发现沉...
关键词：氧化硅 薄膜 磁控溅射 
微通道板SiO_2防离子反馈膜技术研究被引量：4
《电子学报》2008年第12期2400-2404,共5页李野 姜德龙 向嵘 付申成 王国政 吴奎 王新 端木庆铎 富丽晨 田景全 
本文利用射频磁控溅射方法,在微通道板输入面上成功地制备出二氧化硅防离子反馈膜.通过对二氧化硅防离子反馈膜的电子透过特性测试,给出了特性曲线.利用蒙特卡罗模拟方法对二氧化硅和三氧化二铝两种防离子反馈膜的电子透过和离子阻止能...
关键词：微通道板 二氧化硅 防离子反馈膜 蒙特卡罗模拟 
Si基体二维深通道微孔列阵刻蚀技术被引量：3
《微纳电子技术》2008年第12期729-733,共5页向嵘 王国政 陈立 高延军 王新 李野 端木庆铎 田景全 
Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6～10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/...
关键词：硅基体 二维通道电子倍增器 微孔列阵 感应耦合等离子体 光电化学刻蚀 
利用电化学刻蚀工艺制备p型硅基大孔深通道阵列被引量：1
《兵工学报》2008年第12期1497-1500,共4页高延军 端木庆铎 王国政 李野 田景全 
在自制的三极电解槽中,采用浓度不同的氢氟酸(HF)电解液在一定掺杂浓度的p型硅基上,研究了大孔深通道阵列的形成过程。通过一系列实验、电化学测试与分析,从理论上论述了p型大孔深通道阵列的形成微观机制,同时解释了电化学刻蚀反应与HF...
关键词：电子物理学 电化学刻蚀 大孔深通道阵列 氢氟酸 p型硅 
热退火对氧化镓薄膜性质的影响被引量：3
《长春理工大学学报（自然科学版）》2008年第4期45-47,共3页王新 向嵘 田景全 姜德龙 李野 王国政 端木庆铎 
吉林省科技发展计划资助项目(20080170)
采用真空蒸发技术在蓝宝石衬底上制备了氧化镓透明半导体薄膜;研究了热退火对氧化镓薄膜结构、电学和光学等特性的影响。在退火前,氧化镓薄膜是一种无定型的、高阻薄膜。经过退火后转变成多晶薄膜,但薄膜的电学特性变化较小。随着退火...
关键词：氧化镓薄膜 热退火 结构特性 光学特性 
硅基高长径比微孔列阵及其应用被引量：1
《微电子学》2007年第6期862-865,共4页李野 向嵘 王国政 王新 陈力 付申成 吴奎 姜德龙 端木庆铎 田景全 
介绍了硅基高长径比微孔列阵形成的多路感应耦合等离子体刻蚀和电化学刻蚀等半导体工艺技术,给出了实验系统、原理、方法和实验结果,指出了工艺中出现的新现象和亟待解决的新问题,阐述了其在二维通道电子倍增器-微通道板中的应用。
关键词：微孔列阵 长径比 微通道板 半导体工艺 
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