向嵘

作品数：12被引量：24H指数：3
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发文主题：磁控溅射X射线衍射微通道板缓冲层ZNO薄膜更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《电子学报》《微纳电子技术》《液晶与显示》《兵工学报》更多>>
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溅射功率对NiO薄膜性质的影响被引量：1
《液晶与显示》2011年第2期158-160,共3页王新 刘楠 向嵘 李野 端木庆铎 田景全 
国家自然科学基金(No.11004016);吉林省科技厅基金(No.20080170)
在室温条件下,采用射频磁控溅射的方法在石英衬底上制备了NiO薄膜,深入研究了不同溅射功率对NiO的结构、光学和电学特性的影响。随着溅射功率的升高,NiO薄膜逐渐由非晶态薄膜转变成具有(111)择优取向的晶态薄膜,同时发现NiO薄膜在可见...
关键词：射频磁控溅射 氧化镍 结构 光学 电学 
基于氧化铝缓冲层的Si基ZnO薄膜研究被引量：4
《兵工学报》2010年第8期1063-1066,共4页向嵘 王新 姜德龙 李野 田景全 
吉林省科技发展计划基金项目(20080170)
高质量的ZnO薄膜通常生长在蓝宝石等晶格匹配好的衬底上,在晶格失配较大的Si衬底上很难得到高质量的ZnO薄膜,而在Si衬底上制备高质量的ZnO薄膜更具有广泛应用前景。本文采用反应磁控溅射的方法,在Si衬底上,通过引入Al2O3缓冲层,在不同...
关键词：半导体技术 ZNO薄膜 Al2O3缓冲层 X射线衍射 发光光谱 
氧化硅薄膜的制备和性质研究被引量：3
《微电子学》2010年第3期454-456,共3页王新 向嵘 李野 王国政 姜德龙 端木庆铎 田景全 
吉林省科技厅青年科研基金资助项目(20080170)
在室温条件下,采用反应磁控溅射方法,在硅衬底上制备氧化硅薄膜。研究了制备过程中不同氧气含量时氧化硅薄膜的生长速率、薄膜中的O/Si原子比例、表面粗糙度、薄膜的介电性能。发现薄膜的生长速率和介电常数随溅射时氧气含量的增加先增...
关键词：磁控溅射 氧化硅 生长速率 介电常数 原子比例 
磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率(英文)被引量：3
《发光学报》2009年第6期888-891,共4页姜德龙 王新 向嵘 王国政 田景全 
Project supported by the Technological Development Project of Jilin Province in China (20080170)~~
氧化硅薄膜是半导体工业中常见的薄膜材料,通常采用化学气相沉积方法制备。但是这种制备方法存在缺欠。采用磁控溅射的方法首先在石英衬底上制备了氧化硅薄膜。研究了射频功率、氧气含量和溅射压强对氧化硅薄膜沉积速率的影响。发现沉...
关键词：氧化硅 薄膜 磁控溅射 
氧化铝缓冲层对ZnO薄膜性质的影响被引量：1
《长春理工大学学报（自然科学版）》2009年第3期407-409,共3页王新 向嵘 陈立 姜德龙 李野 王国政 
吉林省科技发展计划资助项目(20080170)
采用反应磁控溅射的方法在石英衬底上制备了一层Al2O3薄膜,并将其作为后续ZnO薄膜生长的缓冲层。然后,采用反应磁控溅射的方法在Al2O3缓冲层上制备了ZnO薄膜。对比研究了引入Al2O3缓冲层前后,ZnO薄膜的结构和光学特性。通过引入Al2O3缓...
关键词：ZNO薄膜 Al2O3缓冲层 X射线衍射 发光光谱 吸收光谱 
膜层厚度对蓝宝石衬底上生长的ITO薄膜性质的影响被引量：1
《发光学报》2009年第5期712-716,共5页王新 向嵘 李野 王国政 付申成 端木庆铎 姜德龙 吴奎 
吉林省科技厅青年科研基金(20080170)资助项目
采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经X射线衍射(XRD)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ITO薄膜呈现了较高的(222)择优取向;随着膜层厚度的增加,该衍射峰对应...
关键词：氧化铟锡 磁控溅射 X射线衍射 光透过率 电阻 
玻璃和柔性衬底上氧化铟锡薄膜特性的对比研究被引量：1
《液晶与显示》2009年第3期389-392,共4页王新 向嵘 任新光 李野 姜德龙 端木庆铎 
吉林省科技厅青年科研基金(No.20080170)
对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料上的氧化铟锡(ITO)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。在两种不同的衬底上均得到了不分相的、高质量的多晶ITO薄膜,其中生长在玻璃衬底上的ITO薄膜(002)衍射...
关键词：氧化铟锡 磁控溅射 X射线衍射 透光率 电阻率 
微通道板SiO_2防离子反馈膜技术研究被引量：4
《电子学报》2008年第12期2400-2404,共5页李野 姜德龙 向嵘 付申成 王国政 吴奎 王新 端木庆铎 富丽晨 田景全 
本文利用射频磁控溅射方法,在微通道板输入面上成功地制备出二氧化硅防离子反馈膜.通过对二氧化硅防离子反馈膜的电子透过特性测试,给出了特性曲线.利用蒙特卡罗模拟方法对二氧化硅和三氧化二铝两种防离子反馈膜的电子透过和离子阻止能...
关键词：微通道板 二氧化硅 防离子反馈膜 蒙特卡罗模拟 
Si基体二维深通道微孔列阵刻蚀技术被引量：3
《微纳电子技术》2008年第12期729-733,共5页向嵘 王国政 陈立 高延军 王新 李野 端木庆铎 田景全 
Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6～10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/...
关键词：硅基体 二维通道电子倍增器 微孔列阵 感应耦合等离子体 光电化学刻蚀 
热退火对氧化镓薄膜性质的影响被引量：3
《长春理工大学学报（自然科学版）》2008年第4期45-47,共3页王新 向嵘 田景全 姜德龙 李野 王国政 端木庆铎 
吉林省科技发展计划资助项目(20080170)
采用真空蒸发技术在蓝宝石衬底上制备了氧化镓透明半导体薄膜;研究了热退火对氧化镓薄膜结构、电学和光学等特性的影响。在退火前,氧化镓薄膜是一种无定型的、高阻薄膜。经过退火后转变成多晶薄膜,但薄膜的电学特性变化较小。随着退火...
关键词：氧化镓薄膜 热退火 结构特性 光学特性 
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