英特尔公司在硅基雪崩光电探测器件研究中取得重要进展  

出　　处：《中国集成电路》2009年第1期2-2,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：英特尔公司12月8日宣布在硅基雪崩光电探测器（Silicon-based Avalanche Photodetector）研究方面实现了创纪录的商陛能，这款雪崩光电探测器使用硅和CMOS工艺实现了有史以来最高的340GHz“增益-带宽积”。

关 键 词：雪崩光电探测器 英特尔公司 光电探测器件 硅基 增益-带宽积 CMOS工艺 

分 类 号：TN364.2[电子电信—物理电子学] F471.266[经济管理—产业经济]