SiS426DN/SiR496DP/Si7718DN／Si7784DP：第三代功率MOSFET  

出　　处：《世界电子元器件》2009年第1期54-54,共1页Global Electronics China

摘　　要：Vishay推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45％，从而降低切换损耗及提高切换速度。

关 键 词：功率MOSFET 第三代 SI 切换速度 栅极电荷 电荷平衡 N通道 器件 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TN305.3