提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术(Ⅱ)  

作　　者：罗先刚[1] 陈旭南[1] 姚汉民[1] 

机构地区：[1]中国科学院光电技术研究所

出　　处：《物理》1998年第5期278-281,300,共5页Physics

摘　　要：提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术（Ⅱ）罗先刚陈旭南姚汉民（中国科学院光电技术研究所，成都６１０２０９）４相移掩模技术［５］相移掩模（ｐｈａｓｅｓｈｉｆｔｍａｓｋ，ＰＳＭ）最初由美国的Ｍ．Ｄ．Ｌｅｖｅｎｓｏｎ于１９８２年提出，真正成为热点是在８０...

关 键 词：光刻 分辨力 亚半微米图形 相移掩模 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]