Pt/PZT/Pt结构铁电场效应晶体管性能研究  

Study on Characteristics of Ferroelectric Field Effect Transistor with Pt/PZT/Pt Structure

作　　者：杨富[1] 蔡道林[2] 南景宇[1] 韩冰[1] 

机构地区：[1]河北北方学院理学院,河北张家口075000 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200000

出　　处：《河北北方学院学报（自然科学版）》2009年第1期20-23,共4页Journal of Hebei North University:Natural Science Edition

基　　金：河北省教育厅自然基金项目(2004402);张家口市科技局项目(060178)

摘　　要：目的研究金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管的性能.方法制备金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管并对其性能进行测量分析.结果具有顺时针的Id-Vg滞回曲线的p沟道PZT铁电场效应晶体管能实现极化存储性能,并且在-5V到+5V的Vg电压下从Id-Vg滞回曲线中都得到了1V的存储窗口.存储窗口随-Vg的增大而增大.结论MFMIS结构的p沟道PZT铁电场效应晶体管适合在大规模、高密度、高速度铁电存储器上使用.Objective To investigate characteristics of p-channel field-effect-transistor （FFET） with Metal/ferroelectric/Metal/Insulator/Si substrates （MFMIS） structure. Methods P-channel field-effecttransistor （FFET） with Metal/ferroelectric/Metal/Insulator/Si substrates （MFMIS） structure was fabricated and its characteristics were measured and analysed. Results The clockwise Id-Vg hysteresis loops of the p-channel FFET demonstrated that the FFET could realize a memory effect due to the ferroelectric polarization of PZT thin film. The memory widow of the FFET was 1V observed from the Id-Vg hysteresis curves with Vg swing between -5V and ＋5V. The memory windows increased with the-Vg increasing. Conclusion The p-channel PZT field-effect-transistor （FFET） with MFMIS structure is suitable for largescale, high-density and high-speed ferroelectric memory.

关 键 词：MFMIS 铁电场效应晶体管 存储窗口 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]