超薄Al_2O_3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件研究  

作　　者：岳远征[1] 郝跃[1] 冯倩[1] 张进城[1] 马晓华[1] 倪金玉[1] 

机构地区：[1]西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071

出　　处：《中国科学（E辑）》2009年第2期239-243,共5页Science in China(Series E)

基　　金：国家重点基础研究发展计划("973"计划)(批准号:51327020301);国家自然科学基金项目(批准号:60736033)资助

摘　　要：采用原子层淀积(ALD),实现超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长0.8μm,栅宽60μm,栅压为+3.0V时最大饱和输出电流达到800mA/mm,最大跨导达到150ms/mm,与同样尺寸的AlGaN/GaNHEMT器件相比,栅泄漏电流比MES结构的HEMT降低两个数量级,开启电压保持在?5.0V.C-V测量表明Al2O3能够与AlGaN形成高质量的Al2O3/AlGaN界面.

关 键 词：原子层淀积 超薄Al2O3 ALGAN/GAN MOS-HEMT器件 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]