射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真  

Design and Simulation of RF SOI LDMOS Power Amplifier

作　　者：陈卫军[1] 马里剑[1] 张海鹏[1] 余厉阳[1] 吕韶义[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学RF电路与系统省部共建教育部重点实验室,杭州310018

出　　处：《电讯技术》2009年第3期43-46,共4页Telecommunication Engineering

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(AA09Z239);国家自然科学基金资助项目(60306003);浙江省自然科学基金资助(Y104599)

摘　　要：简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物-半导体(SOI LDMOS)电路模型。根据改进的SOI LDMOS电路模型,采用射频仿真软件进行了射频功率放大器的设计与仿真。该射频功率放大器采用两级放大结构,采用了S参数设计方法和负载牵引方法设计。结果表明放大器的增益达到15dB,输出功率达到25dBm,功率附加效率大于40%。The modified SOl LDMOS circuit model is simply introduced. According to this model, a RF power amplifier （PA） is designed and simulated by using a RF simulator ADS. Two-stage architecture is adopted in the RF PA design. S parameter design method and load-pull design method are used. The simulation result shows that the gain is 15dB, the power output is 25 dBm and the power added efficiency is more than 40%.

关 键 词：射频功率放大器 SOI LDMOS 计算机辅助设计与仿真 负载牵引法 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]