SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造  

Di-electrophoresis assembly and fabrication of SWCNT field-effect transistor

作　　者：田孝军[1] 王越超[1] 于海波[1] 董再励[1] 席宁[1] 童兆宏[1] 

机构地区：[1]机器人学国家重点实验室,中国科学院沈阳自动化研究所,沈阳110016

出　　处：《科学通报》2009年第5期662-667,共6页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家高技术研究发展计划(编号:2006AA04Z320);中国科学院王宽诚科研奖金资助项目

摘　　要：在基于单壁碳纳米管(SWCNT)的纳电子器件或系统制备过程中,SWCNT场效应晶体管(SWCNTFET)作为最基本的构成元件,如何进行其可控装配与制造成为了关键课题.为此,在利用十二烷基硫酸纳(SDS)辅助超声分散SWCNT及离心去除杂质的基础上,针对所设计制作的背栅式FET微电极芯片,采用介电泳驱动方法实现了SWCNT的可控均匀排布与装配.排布与装配实验表明,SWCNT在电极间隙处具有很好的均匀定向排布与装配效果,且沿电极宽度方向的排布密度与电泳持续时间、溶液浓度基本成正比.经过初步漂洗及干燥,再通过场效应特性改善处理,烧断金属性SWCNT并进一步去除残留的SDS,获得了良好的SWCNTFET场效应特性.

关 键 词：单壁碳纳米管 场效应晶体管 介电泳装配 场效应特性改善 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]