WC-Co 硬质合金表面 MW-PCVD 制备金刚石薄膜去钴预处理的研究  

The Study of Etching Co Pre treatment on MW PCVD Diamond coated WC Co Cemented Carbide Surface

作　　者：俞世吉[1,2,3] 邬钦崇[1,2,3] 张志明[1,2,3] 周永成[1,2,3] 汪建华[1,2,3] 

机构地区：[1]中国科学院等离子体物理研究所 [2]上海交通大学应用化学系 [3]武汉化工学院

出　　处：《高技术通讯》1998年第4期35-38,共4页Chinese High Technology Letters

基　　金：863计划资助项目

摘　　要：研究了ＷＣ－Ｃｏ硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明，利用氢－氧等离子体处理方式有显著的去钴效果，相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比，微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢－氧等离子体处理方式具有独特的优越性。Diamond films were synthesized by MW PCVD on the WC Co cemented carbide cutting tools surface. The effect of different etching Co pre treatment methods was characterized by scanning electron microscopy(SEM) and Raman spectroscopy. The results show that etching Co pre treatment by H 2 O 2 plasma has remarkable effect on deposition of fairly high quality diamond film. Comparing to the acid etching method, the H 2-O 2 plasma pretreatment in MW PCVD device has some unique advantages.

关 键 词：硬质合金 MW-PCVD 金刚石薄膜 去钴预处理 

分 类 号：TG135.5[一般工业技术—材料科学与工程]