具有增大焦深作用的全芯片光学邻近效应校正技术  

作　　者：立文 

出　　处：《电子工业专用设备》1998年第1期43-49,共7页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：叙述了一种根据空间像匹配原理，进行光学邻近效应校正（ＯＰＣ）的实用方法。此方法采用了三种超高分辨率图形技术：散射条，抗散射条和修饰图形。通过利用顶角“图形工具”，实现了超大规模微处理机随机逻辑芯片的全芯片光学邻近效应校正处理。此方法不仅对于控制疏密线条图形的ＣＤ尺寸有效，而且当与四极离轴照明方法结合使用时，对于提高所有图形的焦深也有明显的效果。在用ｉ线技术制作一块１２５０万个晶体管芯片时，利用此ＯＰＣ方法进行所有关键掩模层图形的加工十分有效。业已生产了２００多块全芯片ＯＰＣ掩模，用于领先的电路制造。

关 键 词：光刻 OPC 晶体管 IC 

分 类 号：TN405.7[电子电信—微电子学与固体电子学] TN305.7