关于Ⅱ型超晶格红外探测器列阵的发展  

作　　者：顾聚兴 

出　　处：《红外》2009年第4期41-48,共8页Infrared

摘　　要：本文报导在Ⅱ型应变层InAs/GaSb超晶格材料上研制长波红外焦平面列阵工作的进展。美国雷神视觉系统公司和喷气推进实验室已研制成功截止波长为10至12μm的此类器件。这种器件的像元是通过湿蚀刻以及用等离子体淀积二氧化硅来进行表面钝化而形成的。列阵则是通过铟柱焊接与硅读出集成电路混成起来的。本文介绍对列阵的测试结果以及对分立二极管进行的电流-电压特性分析。雷神视觉系统公司和喷气推进实验室的研究人员发现,当温度低于70K时,漏泄电流在零偏压下受控于产生-复合效应,而在反向偏压下则受控于陷阱辅助隧穿效应。虽然其他作者已验证了Ⅱ型超晶格器件的短波红外和中波红外成像性能,但在2006年之前,还没有一个人能验证这种器件在长波红外波段内的成像性能。雷神公司和喷气推进实验室利用像元尺寸为30μm的256×256元列阵以78K的操作温度同时获得了静物图像和视频图像,在此温度下,这种列阵具有高操作性和10.5μm的截止波长。

关 键 词：焦平面列阵 长波红外 Ⅱ型超晶格 INAS/GASB 成像 电流-电压特性 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]