半导体激光器  

出　　处：《中国光学》2001年第4期25-28,共4页Chinese Optics

摘　　要：TN248.4 2001042419InGaN多量子阱面发射微盘激光器的理论研究=Theoreticalmodel for surface-emitting microdisk of InGaNMQW[刊,中]/谢成城,王舒民(北京大学物理系.北京(100871))//半导体光电.-2000,21(3).-188-192为了实现半导体微盘激光器的单模面发射,设计了一种以InGaN多量子阱为有源层,GaN外延层为覆盖层的半导体微盘激光器。通过对GaN覆盖层进行图形刻蚀,可以对不同的角模式进行有选择的增益,由此实现选模。

关 键 词：远结半导体激光器 高功率半导体激光 微盘激光器 多量子阱 量子阱激光器 有效增益因子 级联激光器 国家重点实验室 面发射 外腔半导体激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]