SnO_2/PS/Si吸附气体前后的光伏谱变化  

Variation of photovoltage spectra for SnO_2/PS/Si during prior-and post-adsorption

作　　者：吴孙桃[1] 谢廷贵[1] 王延华[1] 陈议明[1] 沈华 

机构地区：[1]厦门大学物理系,厦门361005

出　　处：《半导体光电》1999年第5期341-344,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：福建省自然科学基金

摘　　要：制备了二氧化锡／ 多孔硅／ 硅（ＳｎＯ２／ＰＳ／Ｓｉ） 异质结构样品，在不同温度下，分别测量样品吸附氢气、液化石油气前后的光生电压谱。结合Ｘ 光电子能谱（ＸＰＳ） 测量结果。SnO 2/PS/Si heterojunction structure samples are fabricated.The photovoltage spectra of the samples during prior-and post-adsorption of H 2 or liquified petroleum at different temperature are measured.In combination with the results of XPS measurement,analysis on the variation mechanism of the photovoltage spectra is made.

关 键 词：半导体材料 双异质结 多孔硅 吸附气体 光生电压谱 X光电子能谱 

分 类 号：O471.4[理学—半导体物理]