用原子层外延技术生长异质结器件  

作　　者：徐征 

出　　处：《液晶与显示》1989年第4期26-29,共4页Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

摘　　要：原子层外延(ALE)是金属有机化合物气相外延生长的一种方式。用这种方法并用单层沉积工艺实现了自限单层超薄外延层的均匀生长。本文介绍了用ALE生长GaAs、AlAs单晶及GaAs/AlGaAs异质结和器件。得到的数据证明了ALE生长超薄膜层的单层均匀性。还讨论了生长速率对反应物流量和温度的依赖关系。对ALE外延层厚度进行解理角(Cleaved corner)透射电镜(TEM)分析,证明沉积过程具有“数字式”特性。ALE法生长的GaAs量子阱的低温光致发光(FL)呈窄线本征发光,其线宽可与用常规MOCVD法生长器件的最佳值相媲美。

关 键 词：原子层外延 异质结 MOCVD 有源区 量子阱 光致发光 薄膜层 线宽 均匀性 反应室 

分 类 号：TN141.9[电子电信—物理电子学]