对向靶溅射参数对CoCr膜性质的影响  

作　　者：姜恩永[1] 单慧波[1] 张西祥 张丙辰 

机构地区：[1]天津大学物理系

出　　处：《信息记录材料》1989年第1期14-16,共3页Information Recording Materials

摘　　要：本文系统地研究了对向靶溅射参数对垂直磁记录介质 CoCr 膜结构和磁性的影响。一、引言近年来,随着垂直磁记录介质研究的发展,关于二极溅射、磁控溅射和射频溅射的溅射条件对 CoCr 膜性质的影响已有许多研究,但新型对向靶溅射仪溅射条件对 CoCr 膜性质的影响还不甚清楚。对向靶溅射中影响 CoCr 膜性质的因素很多。通过实验研究,我们发现氩气压力 P_Ar,溅射电流 I_s,基板温度 T_s

关 键 词：溅射现象 COCR 垂直磁记录 射频溅射 负偏压 基板 膜结构 原子数 取向度 氢气压力 

分 类 号：TQ58[化学工程—精细化工]