单慧波

作品数:11被引量:19H指数:2
导出分析报告
供职机构:华东理工大学基础教育学院更多>>
发文主题:表面处理陶瓷氧化锆陶瓷深冷处理深冷更多>>
发文领域:化学工程冶金工程理学机械工程更多>>
发文期刊:《无机材料学报》《硅酸盐通报》《华东理工大学学报(自然科学版)》《信息记录材料》更多>>
所获基金:国家教委资助优秀年轻教师基金国家自然科学基金更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
涂覆草酸钇薄膜改善氮化铝粉耐水性及其机理被引量:2
《华东理工大学学报(自然科学版)》1998年第4期458-461,共4页单慧波 李红旭 张宗涛 
研究了表面涂覆草酸钇薄膜对氮化铝(AlN)粉耐水性的影响。结果显示:涂膜后AlN粉在100℃沸水中回流45min不与水反应,温度降至78℃时可耐水3h以上;耐水时间随涂覆量增加而增加,随温度升高而下降。水分子通过薄膜...
关键词:氮化铝 薄膜 耐水性 草酸钇 陶瓷 
AIN粉末有机物表面处理及水解动力学被引量:10
《无机材料学报》1998年第5期667-673,共7页单慧波 张宗涛 
国家教委优秀年轻教师基金;华东理工大学研究基金
在AIN粉末表面涂覆油酸和8-羟基喹啉,有效地提高了AIN的耐水性.该粉末在40℃温水中至少稳定70h;但随水温升高稳定性变差,在60~80℃的水中发生水解反应.反应动力学呈扩散控制和固相表面化学反应控制两个阶段,均为一级反应,活化能...
关键词:氮化铝粉末 表面处理 憎水 水解动力学 陶瓷 
Y_2O_3和MgO部分稳定ZrO_2陶瓷热稳定性和低温烧结研究被引量:1
《硅酸盐通报》1997年第2期26-30,共5页单慧波 谈家琪 吴厚政 董桂玲 
本文研究了Y2O3、MgO含量对Y、Mg-PSZ材料性能的影响。发现由于Y2O3的加入、MgO含量的提高可使Mg-PSZ的烧成温度由原来的1700℃降低到1600℃。与此同时材料的热稳定性也得到了较大的改善。
关键词:烧成温度 热稳定性 低温烧结 氧化锆陶瓷 增韧 
一种用于对长直导轨的微小不平度进行动态测量的方法
《天津城市建设学院学报》1996年第3期18-23,共6页祭瑞 单慧波 何乃文 
探讨了一种能对长直导轨的微小不平度进行高精度实时测量的新方法.其原理是用一个光栅与激光干涉条纹组成莫尔条纹,利用莫尔条纹的放大作用将干涉条纹在微小角变下的微小移动放大几千倍,从而大大提高了测量灵敏度,使测量精度提高到...
关键词:不平度 导轨 放大作用 敏度 动态测量 移动 莫尔条纹 激光干涉 测量精度 高精度 
牛顿环实验的拓展被引量:4
《物理实验》1996年第6期290-290,共1页单慧波 
牛顿环实验的拓展单慧波(华东理工大学上海200237)牛顿环实验是我国工科物理实验中的一个基本实验,设计和安排这个实验的主要目的是:(1)使学生对干涉现象增加感性认识,更好的理解光的波动性.(2)让学生初步了解干涉现...
关键词:牛顿环实验 光波动性 
低温应变片测定ZTC材料的马氏体相变温度
《硅酸盐通报》1996年第5期58-60,共3页单慧波 谈家琪 袁启明 
本文用电阻应变片测定了ZTC陶瓷材料的马氏体相变温度。所需试样不需特殊加工。
关键词:应变片 马氏体 相变温度 ZTC陶瓷 电阻 
低温深冷表面处理提高Mg-PSZ陶瓷耐磨性研究被引量:2
《硅酸盐通报》1996年第4期11-13,25,共4页单慧波 谈家琪 袁启明 
国家自然科学基金
运用低温深冷表面处理提高了Mg-PSZ陶瓷的表面硬度,同时其耐磨性也有显著的改善,磨损率由1.31%降低到0.74%。硬度、耐磨性改善的原因在于深冷表面处理后。
关键词:耐磨性 表面处理 氧化锆陶瓷 增韧陶瓷 深冷处理 
ZTM材料深冷表面处理的研究被引量:1
《硅酸盐通报》1996年第3期32-35,共4页单慧波 谈家琪 杨正方 袁启明 
本文研究了如何利用低温深冷表面处理技术改善ZTM材料力学性能的问题,实验表明经过适当的低温深冷处理,ZTM材料的力学性能得到明显改善。抗弯强度和韧性分别提高40%和48%。
关键词:表面处理 抗弯强度 断裂韧性 ZTM陶瓷 深冷处理 
溅射过程的Monte Carlo方法模拟计算被引量:1
《天津大学学报》1989年第2期107-112,共6页单慧波 姜恩永 李金锷 
运用Monte Carlo方法对溅射过程进行了模拟计算,其结果清楚地描述了溅射的微观过程,溅射产额的计算值与实验值吻合。
关键词:溅射过程 MONTE Carlo 模拟计算 
对向靶溅射参数对CoCr膜性质的影响及CoCr软盘的研究
《信息记录材料》1989年第2期27-30,63,共5页姜恩永 单慧波 张西祥 李金锷 
本文系统地研究了对向靶溅射参数P_Ar、I_s、T_s、V_b对CoCr膜结构和磁性的影响。结果发现较低的P_Ar和适当的V_b对提高CoCr膜C轴的取向度有利,T_s、I_s对CoCr的磁性有很大影响。在此基础上研制出了CoCr软磁盘。
关键词:溅射法 COCR 原子数 取向度 垂直磁记录 负偏压 膜结构 磁控溅射 性能测试结果 饱和磁化强度 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部