对向靶溅射参数对CoCr膜性质的影响及CoCr软盘的研究  

作　　者：姜恩永[1] 单慧波[1] 张西祥 李金锷[1] 

机构地区：[1]天津大学物理系

出　　处：《信息记录材料》1989年第2期27-30,63,共5页Information Recording Materials

摘　　要：本文系统地研究了对向靶溅射参数P_Ar、I_s、T_s、V_b对CoCr膜结构和磁性的影响。结果发现较低的P_Ar和适当的V_b对提高CoCr膜C轴的取向度有利,T_s、I_s对CoCr的磁性有很大影响。在此基础上研制出了CoCr软磁盘。

关 键 词：溅射法 COCR 原子数 取向度 垂直磁记录 负偏压 膜结构 磁控溅射 性能测试结果 饱和磁化强度 

分 类 号：TQ58[化学工程—精细化工]