对靶溅射氮化铁薄膜的形成及其特性  

作　　者：高桥克弘 屠友灿 

出　　处：《信息记录材料》1989年第3期44-51,共8页Information Recording Materials

摘　　要：一、前言在各种记录技术中,磁记录在大容量方面比其它记录方式优越得多,所以它一直占据着稳固的地位。但近几年来,由于半导体存贮器的高速化、大容量化和低价格化,磁记录的地位受到威胁,这也是事实。何况,对于记录密度的要求更加提高了。当前,在普遍采用的纵向记录方式中,通过提高记录介质的矫顽力和薄膜化来提高记录密度。与此同时,记录再生磁头也在谋求高性能化。可是。

关 键 词：氮化铁 溅射法 薄膜化 磁记录 记录密度 饱和磁化强度 基片温度 记录介质 磁头材料 性能化 

分 类 号：TQ58[化学工程—精细化工]