降低电阻率进一步实现钨金属化等比微缩  

作　　者：Frank Huang Anand Chandrashekar Michal Danek 

机构地区：[1]Novellus Systems Inc.

出　　处：《集成电路应用》2009年第1期28-29,31,共3页Application of IC

摘　　要：随着特征尺寸缩小到32nm以下,传统的脉冲成核层(PNL)将无法满足所需的电阻率性能要求。钨成核和CVD填充技术的发展使得ALD钨可以被扩展应用到2Xnm尺寸,而且仍然能满足所需的电阻率要求。

关 键 词：低电阻率 金属化 钨 尺寸缩小 性能要求 扩展应用 填充技术 ALD 

分 类 号：O614.613[理学—无机化学] P618.13[理学—化学]