硅钨酸修饰ISFET的研究  

Study on Silicotungstic Acid Modified Ion Sensitive Field Effect Transitor

作　　者：李先文 黄强 

机构地区：[1]渭南师专化学传感器研究室

出　　处：《半导体杂志》1998年第2期4-7,共4页

基　　金：陕西省教委科学基金

摘　　要：用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管，制成药物敏感场效应晶体管（ＤｒｕｇＦＥＴ）。该传感器对一些药物有良好的响应，用其分析药物制剂的含量，结果和药典方法相一致。The modified ion sensitive field effect transistor(ISFET) with silicotungstic acid is made, and used to analyze some drugs. The results obtained agree with the pharmacopeia method of China.

关 键 词：场效应晶体管 硅钨酸 药物分析 ISFET 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学] R914.1[医药卫生—药物化学]