氮化温度对ZnO薄膜结构特性的影响  

Influence of Nitridation Temperature on the Microstructure of ZnO Films

作　　者：张丽[1] 于威[1] 许贺菊[2] 张锦川[1] 傅广生[1] 

机构地区：[1]河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002 [2]华北煤炭医学院基础部,河北唐山063000

出　　处：《河北大学学报（自然科学版）》2009年第2期150-152,共3页Journal of Hebei University(Natural Science Edition)

基　　金：河北省自然科学基金资助项目(E2006001006)

摘　　要：采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在蓝宝石（001）衬底上制备不同氮化温度的ZnO薄膜.结果表明,在200~600℃内,不同的氮化温度对薄膜的表面形貌和晶格结构有显著影响.ZnO films were deposited on sapphire （001）substrates by helicon wave plasma assisted radio frequency magnetron sputtering at various nitridation temperature. Results show that the microstructure of ZnO film is sensitive to the change of nitridation temperature ranging from 200-600℃.

关 键 词：ZNO薄膜 氮化温度 晶格结构 

分 类 号：O484.5[理学—固体物理]