InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析  

Experimental and theoretical study of blue InGaN/GaN multiple quantum well blue light-emitting diodes

作　　者：李为军[1] 张波[1] 徐文兰[2] 陆卫[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海200083 [2]华东师范大学信息科学技术学院,上海200062

出　　处：《物理学报》2009年第5期3421-3426,共6页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10474020);上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助的课题~~

摘　　要：分别采用量子阱模型和量子点模型对蓝色InGaN/GaN多量子阱发光二极管电学和光学特性进行模拟,并和实验测量结果进行了比对,结果发现,量子点模型的引入,很好地解决了I-V和电致发光二方面的实验与理论模型间符合程度不好的问题.同时,在I-V曲线特性模拟中发现,在量子点理论模型的基础上,只有考虑到载流子的非平衡量子传输效应,才能得到和实验相接近的I-V曲线,揭示着在InGaN/GaN多量子阱发光二极管电输运特性中,载流子的非平衡量子传输效应扮演重要角色.A 2D simulation of electrical and optical characteristics of InGaN/GaN multiple quantum well blue light-emitting diodes by APSYS software with a dot-well model and well model are investigated. It shows that I-V and electrical luminescence simulation results based on the quantum dot model are in better agreement with the experimental data than that based purely on quantum well model. Moreover, simulation result also suggest that the non-equilibrium quantum transport plays an important role in the InGaN/ GaN multiple quantum well light-emitting diodes.

关 键 词：INGAN/GAN 发光二极管 数值模拟 量子点模型 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]