半导体瞬态问题计算方法的新进展  

Recent Progress in Numerical Methods for Semiconductor Devices

作　　者：袁益让[1] 

机构地区：[1]山东大学数学研究所,济南250100

出　　处：《计算物理》2009年第3期317-324,共8页Chinese Journal of Computational Physics

基　　金：国家重点基础研究发展规划(G19990328);国家攻关(2005020069);国家自然科学基金(1077112410372052);教育部博士点基金(20030422047)资助项目

摘　　要：综述三维热传导型半导体瞬态问题计算方法的新进展.数学模型是一类由四个方程组成的非线性耦合对流-扩散偏微分方程组的初边值问题.重点研究特征分数步差分方法,修正迎风分数步差分方法,特征交替方向变网格有限元方法,区域分裂及并行计算.Numerical methods for transient behavior of semiconductor devices are studied. Mathematical model of a three-dimensional semiconductor device with heat conduction is described by a initial boundary value problem with four quasilinear partial differential equations. Finite difference fractional step method, characteristic finite element alternating direction method, domain decomposition method and theoretical analysis are focused on.

关 键 词：半导体器件 特征和迎风差分 分数步法 交替方向和区域分裂 数值分析 

分 类 号：O241.82[理学—计算数学]