横向高压功率器件的进展  

The Advancement of Lateral High Voltage Power Devices

作　　者：刘海涛[1] 陈启秀[1] 

机构地区：[1]浙江大学功率器件研究所

出　　处：《微电子学》1998年第3期145-151,共7页Microelectronics

基　　金：浙江大学博士点专项基金

摘　　要：由于横向高压功率器件在功率集成电路及智能功率电路中具有极其重要的用途，近年来，各种各样的横向功率器件层出不穷。文章讨论了近年来横向功率器件的发展及其主要特性，并对它们进行了详细的分类，以期对各种横向功率器件的特性及其优缺点有一个全面的了解。The recent development of lateral power devices is reviewed.Their major characteristics are described.A variety of lateral power devices is classified in detail and their advantages and disadvantages are discussed comprehensively.

关 键 词：功率器件 高压集成电路 智能功率IC MOS器件 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学] TN303