新型功率器件IGBT及其辐照效应  

Novel Power Insulated Gate Bipolar Transistors and Their Radiation Effects

作　　者：袁寿财[1] 朱长纯[1] 单建安[2] 

机构地区：[1]西安交通大学电子与信息工程学院 [2]香港理工大学

出　　处：《微电子学》1998年第3期163-166,共4页Microelectronics

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，对制作的２０Ａ／１０５０ＶＩＧＢＴ芯片进行了中子辐照实验，并对比了辐照前后器件的关断特性，发现辐照可提高器件的开关速度，但也导致了器件有关特性的退化。The operational mechanism of insulated gate bipolar transistors(IGBT’s) is analyzed.Samples of 20 A/1050 V IGBT are fabricated.Neutron radiation experiment on the samples is performed and test results are discussed in detail

关 键 词：功率器件 IGBT 辐照效应 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]