单建安

作品数:7被引量:5H指数:1
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供职机构:香港科技大学更多>>
发文主题:导电绕组场致发射场效应IGBT更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊:《电子学报》《微电子学》《西安交通大学学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金:国家自然科学基金更多>>
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自保护MOS栅晶闸管
《电子学报》2000年第11期22-24,35,共4页高玉民 单建安 许曙明 
本文报告一种叫做自保护MOS栅晶闸管的新器件 .这种器件无寄生闩锁效应 ,并在较高阳极电压下展现出电流下降而不是饱和或上升的特性 .因此 ,这种新器件具有令人满意的正偏安全工作区 .器件的保护点由用户外接输入电阻自行调节 ,极大增...
关键词:MOS栅晶闸管 自保护 安全工作区 SOI 沟槽隔离 
中子辐照对IGBT特性的影响被引量:1
《固体电子学研究与进展》1999年第1期86-91,共6页袁寿财 朱长纯 单建安 
国家自然科学基金
简要分析了IGBT器件的工作机理,制作了20A/1050V的IGBT芯片,给出了测试结果。对试制芯片进行了中子辐照实验,对比了辐照前后器件的关断特性。
关键词:绝缘栅双极晶体管 元胞 阈值电压 开关时间 辐照 
新型功率器件IGBT及其辐照效应
《微电子学》1998年第3期163-166,共4页袁寿财 朱长纯 单建安 
国家自然科学基金
简要分析了IGBT器件的工作机理,对制作的20A/1050VIGBT芯片进行了中子辐照实验,并对比了辐照前后器件的关断特性,发现辐照可提高器件的开关速度,但也导致了器件有关特性的退化。
关键词:功率器件 IGBT 辐照效应 
硅基双层薄膜谐振器的数学模型及优化设计
《西北建筑工程学院学报(自然科学版)》1998年第2期7-13,共7页邓宁 于丽娟 朱长纯 单建安 
国家自然科学基金
研究了用工业IC技术和微细加工技术制造的硅基双层薄膜谐振器的工作机理,并建立了数学模型.对薄膜谐振效率、振幅及声产生效率与薄膜厚度、初始应力的关系进行了理论分析和计算,理论曲线与实验结果符合得很好.最后,给出了电热激...
关键词:电热激励 薄膜谐振器 数学模型 优化设计 
500 V/11 A VDMOSFET 的研究被引量:1
《西安交通大学学报》1998年第5期22-25,30,共5页陈宁 朱长纯 吴一清 单建安 
国家自然科学基金
在理论分析的基础上,设计制作了500V/11AVDMOSFET芯片,并且进行了失效分析,从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题,提高了成品率.最后指出了今后努力的方向.
关键词:功率器件 MOS结构 场效应 
真空微电子平板显示器工艺研究被引量:3
《电子学报》1996年第11期119-121,共3页皇甫鲁江 朱长纯 淮永进 铁执玲 单建安 郭彩林 
国家自然科学基金
本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺,主要包括阳极支柱(阵列)的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营,其栅阴特性理想,阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前,数码管玻壳...
关键词:场致发射 平板显示器 真空微电子器件 
大面积金属场致发射阴极阵列制造的新方法
《电子学报》1996年第11期48-51,共4页李天英 朱长纯 薛耀国 张声良 单建安 
国家自然科学基金
本文提出了以玻璃为基质,以厚感光有机膜为铸模,利用光刻法制作大面积金属场致发射阴极阵列的新方法。对该方法的工艺结果进行了计算机模拟并在现有条件下进行了初步的工艺探索,最后讨论了改进措施。
关键词:阴极阵列 场致发射 光刻 
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