中子辐照对IGBT特性的影响  

Effects of Neutrons Radiation on the IGBT Characteristics

作　　者：袁寿财[1] 朱长纯[1] 单建安[2] 

机构地区：[1]西安交通大学电子与信息工程学院 [2]香港科技大学

出　　处：《固体电子学研究与进展》1999年第1期86-91,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：简要分析了ＩＧＢＴ器件的工作机理，制作了２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了测试结果。对试制芯片进行了中子辐照实验，对比了辐照前后器件的关断特性。The operation mechanism of IGBT devices is analyzed simply, 20 A/1 050 V IGBT samples are fabricated and their experimental and tested results are given. The turn off characters of IGBT samples with and/or no neutrons radiation experiments are compared and discussed in detail.

关 键 词：绝缘栅双极晶体管 元胞 阈值电压 开关时间 辐照 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]