500 V/11 A VDMOSFET 的研究  

Research on a 500 V/11 A VDMOSFET

作　　者：陈宁[1] 朱长纯[1] 吴一清 单建安[3] 

机构地区：[1]西安交通大学 [2]国营卫光电工厂 [3]香港科技大学

出　　处：《西安交通大学学报》1998年第5期22-25,30,共5页Journal of Xi'an Jiaotong University

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：在理论分析的基础上，设计制作了５００Ｖ／１１ＡＶＤＭＯＳＦＥＴ芯片，并且进行了失效分析，从而进一步解决了设计和工艺中存在的问题，提高了成品率．最后指出了今后努力的方向．A VDMOSFET(500 V/11 A) was designed and fabricated on the basis of theoretical analysis in this paper. Furthermore, a fault analysis was performed and problems in designs and processes were solved to increase yield. Finally, further research needs were indicated.

关 键 词：功率器件 MOS结构 场效应 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]