皇甫鲁江

作品数：16被引量：36H指数：3
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LTPS AMOLED显示器像素电路阈值电压补偿效果的改善被引量：3
《液晶与显示》2022年第3期358-366,共9页皇甫鲁江 朱健超 赵旭亮 卢江楠 刘利宾 
为改善LTPS AMOLED显示器像素电路阈值电压变动性补偿效果,本文分析了相关电压型像素电路的工作过程,确认了影响阈值电压补偿效果的关键因素,包括显示信号刷新扫描行周期对阈值电压获取充电时间的制约、驱动信号形成过程中相关TFT电容...
关键词：LTPS AMOLED 阈值电压补偿 充电时间 电容增量 
虚拟像素显示均匀性及相关问题的分析和应对被引量：2
《液晶与显示》2019年第6期556-563,共8页皇甫鲁江 李真真 谭文静 黄硕 赵辉 史世明 
针对虚拟像素显示均匀性表现的一些问题,本文通过分析典型虚拟像素和真红绿蓝像素亮度中心的形成,对比了虚拟像素显示器与真红绿蓝像素显示器像素亮度中心分布的特点。在典型虚拟像素显示器中,红、蓝子像素数量少于绿子像素。低空间频...
关键词：虚拟像素 亮度中心 分布均匀性 
一种LTPS-TFT AMOLED像素电路的理论研究被引量：3
《液晶与显示》2017年第8期614-621,共8页皇甫鲁江 郑灿 李云飞 刘利宾 朱健超 陈义鹏 
本文对一种LTPS-TFT AMOLED电压型阈值电压(V_(th))补偿像素电路进行了理论研究,分析了影响V_(th)补偿效果的主要因素。电路的补偿效果主要由驱动TFTV_(th)的获取精度和随后的保持精度决定。在V_(th)获取过程中,相关误差主要由驱动TFT...
关键词：有源矩阵有机发光二极管 阈值电压补偿 像素电路 
AFFS技术在大尺寸LCD-TV的进展(英文)被引量：1
《光机电信息》2010年第6期45-50,共6页李文兵 朴韩埈 孙宁 金瑞润 皇甫鲁江 李貞烈 
supported by BSTC(Beijing Science Technology Committee),MII(Ministry of Information Industry)project as Government Project in China
最近我们发展了AFFS技术,做出了32″LED背光源的LCD-TV,色域达到了105%,对比度1200:1,在140°所有视角的对比度达到了100以上,我们采用双轴补偿膜大大提高了颜色漂移的特性。这些光学特性结果的取得是与工艺制作、光学材料的优化、新AFF...
关键词：边缘场开关液晶电视 宽视角 颜色漂移 补偿膜 
水溶胶法碳纳米管薄膜及其场发射稳定性和寿命被引量：1
《电子学报》2005年第11期2047-2050,共4页刘卫华 朱长纯 曾凡光 王琪琨 皇甫鲁江 
国家自然科学基金(No.60036010);国家自然科学基金(No.60476037)
利用高温水解法制得的Fe(OH)3水溶胶,在衬底上引入纳米催化颗粒的前驱物Fe(OH)3胶粒.然后利用CVD法生长出了藤蔓状和定向排列两种碳纳米管薄膜.对该工艺制备的藤蔓状碳纳米管薄膜的场发射稳定性和工作寿命进行了测试.给出了场发射电流...
关键词：碳纳米管 溶胶 场发射平板显示器 
碳纳米管(CNT)场发射显示器的关键技术的研究被引量：4
《电子学报》2002年第5期694-696,共3页刘卫华 朱长纯 王琪琨 李昕 皇甫鲁江 
国家自然科学基金重点项目 (No .60 0 360 1 6);面向项目 (No .50 0 770 1 6);博士点基金(No.980 6982 8);863项目(No .2 0 01AA31 30 90 )
对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究 .利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极 .并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极 ,结合一种弹性封装工艺 ,开发了一种具有简单字符...
关键词：碳纳米管 场发射显示器 化学气象沉积 
星型阴极的温度分布研究
《真空科学与技术》2002年第1期49-52,共4页窦菊英 朱长纯 皇甫鲁江 杨德清 
云南省教委基金 ( 9942 0 95 ) ;国家自然科学基金;教育部博士点基金资助项目
通过对星型阴极的稳定导热问题进行分析 ,推导出阴极交叉点附近温度分布的近似解析式。并用有限差分数值计算方法对钨基底金属的温度分布进行了计算、分析。数值计算结果和解析结果在常用的阴极温度使用范围内吻合良好 ,表明该解析式在...
关键词：星型阴极 温度分布 数值方法 电子枪 稳定导热 阴极电子学 场致发射阴极 
掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响
《物理学报》2002年第2期382-388,共7页皇甫鲁江 朱长纯 淮永进 
国家自然科学基金资助的课题~~
基于漂移 扩散模型和量子理论中的WKB方法 ,用数值模拟方法分析了材料掺杂浓度对硅锥阴极场致发射特性及工作状态的影响 ,结果表明 ,硅锥阴极单纯的场致发射Iemit E特性受硅材料掺杂浓度的影响很小 .但低掺杂硅锥阴极顶端的电位随发射...
关键词：场致发射 掺杂浓度 硅锥阴极 硅材料 电子发射 电位分布 
硅场致发射特性的数值模拟
《西安交通大学学报》2000年第6期44-48,共5页皇甫鲁江 朱长纯 
国家自然科学基金资助项目! (6 9776 0 37);教育部博士点基金资助项目! (980 6 982 8)
用数值方法求解漂移 扩散模型下半导体基本方程组以及耦合的场致发射方程 ,对硅的场致发射特性进行数值模拟 ,模型中包含以往输运方程模型中未考虑的碰撞电离现象 .模拟结果表明 ,当发射电流较大时 ,硅场致发射主要受体内电子向发射表...
关键词：硅 场致发射 半导体 电子输运 数值模拟 
碳纳米管阴极场发射平板显示器的真空封装被引量：15
《西安交通大学学报》2000年第6期102-104,共3页朱长纯 皇甫鲁江 淮永进 康海波 
国家自然科学基金资助项目! (6 96 76 0 0 4)
通过采用传统的网版漏印工艺和低熔点玻璃焊料封接技术 ,实现了场发射显示器真空平板封装 .这种封装稳定、可靠且成本低廉 .同时 ,配套的弹性阴极装配技术 ,可以方便地对不同材料的阴极进行组装 ,形成二极管结构的场发射平板显示器 .弹...
关键词：碳纳米管 场发射平板显示器 真空封装 阴极 
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