阴极电子学

作品数：14被引量：27H指数：2
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相关机构：电子科技大学中国科学技术大学云南大学西安交通大学更多>>
相关期刊：《福州大学学报（自然科学版）》《实验科学与技术》《电子显微学报》《中国无线电电子学文摘》更多>>
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热阴极逸出功非均匀性对本征发射度的影响被引量：3
《电子学报》2019年第3期643-648,共6页彭宇飞 秦臻 陈弹蛋 刘平 李天涛 向军 赵伟 陈欣 杨洁 黄刚 李建北 龙继东 石金水 
国家自然科学基金(No.11605179)
热阴极广泛应用于真空电子器件、加速器、自由电子激光等各类束流装置,热阴极表面状态非均匀性对束流本征发射度有着显著的影响.本文推导了非均匀发射阴极的均方根本征发射度理论形式,并分析了逸出功非均匀性及其统计效应对本征发射度...
关键词：阴极电子学 热阴极 FDTD PIC 本征发射度 逸出功分布 
《阴极电子学》实验教学改革
《实验科学与技术》2005年第3期63-65,共3页蒋泉 成建波 吴援明 
对我校信息显示与光电技术专业的阴极电子学实验教学改革进行了探讨,通过实验系统的功能扩展,强化学生综合能力训练。
关键词：阴极电子学实验 教学 改革 综合能力 
真空电子技术
《中国无线电电子学文摘》2003年第1期12-15,共4页
关键词：真空电子技术 阴极电子学 着屏 行波管 电子崩 电极结构 速调管 电负性气体 触头材料 静电场 
星型阴极的温度分布研究
《真空科学与技术》2002年第1期49-52,共4页窦菊英 朱长纯 皇甫鲁江 杨德清 
云南省教委基金 ( 9942 0 95 ) ;国家自然科学基金;教育部博士点基金资助项目
通过对星型阴极的稳定导热问题进行分析 ,推导出阴极交叉点附近温度分布的近似解析式。并用有限差分数值计算方法对钨基底金属的温度分布进行了计算、分析。数值计算结果和解析结果在常用的阴极温度使用范围内吻合良好 ,表明该解析式在...
关键词：星型阴极 温度分布 数值方法 电子枪 稳定导热 阴极电子学 场致发射阴极 
单晶和多晶LaB_6阴极发射性能的实验研究被引量：8
《真空电子技术》2002年第1期1-4,共4页姚剑峰 陈旭 江剑平 李季 高玉娟 阎肃秋 陈其略 
讨论了由国内外 3个不同来源的六硼化镧 (LaB6)制成的阴极的发射性能 ,用标号 1# ,2 # ,3# 表示 ,其中 1# 是LaB6单晶阴极 ,2 # ,3# 分别是国外和国产的多晶阴极。实验主要测试了它们的发射特性 ,并作了简单分析 ,同时运用扫描电子显微...
关键词：六硼化镧阴极 单晶 多晶 发射性能 LaB6 阴极电子学 
测定材料逸出功的几种常用方法
《昆明师范高等专科学校学报》1999年第4期38-42,共5页李海雁 
介绍测定材料逸出功的几种常用方法，并对这些方法各自的原理和特点、使用范围、精度和局限性作一简述．
关键词：场致发射 固体电子发射 材料逸出功 测定方法 材料结构 阴极电子学 直线法 量热法 等温曲线法 
阴极温度分布对发射本领测量的影响被引量：2
《西安交通大学学报》1999年第11期15-18,共4页窦菊英 朱长纯 皇甫鲁江 杨德清 
国家自然科学基金资助项目( 696760 0 4 ) ;国家教委博士点基金资助项目! ( 960 6980 3 )
对阴极电子学中测试用二极管的阴极丝进行了热特性分析.采用数值方法计算了常用基底W、Mo阴极金属丝在不同条件下的温度分布,同时首次给出了这两种材料在宽温区内导热系数、辐射系数的计算公式.对阴极温度的不均匀导致的发射电流偏差进...
关键词：二极管 阴极丝 温度分布 阴极电子学 测试 
场致发射体的局域功函数研究被引量：10
《真空科学与技术》1999年第3期201-206,共6页曾葆青 杨中海 
电子科学研究院基金
实际场致发射体表面不可能绝对光滑 ,而具有原子尺度的微小凸起会导致发射电流大大增加。基于发射电流主要来自于原子尺度微小凸起的假设 ,提出了局域半球镜像电荷模型 ,研究了场致发射功函数的降低 ,发现微小凸起处场致发射的局域功函...
关键词：场致发射体 功函数 阴极电子学 F-N公式 
Y_2O_3-Ir阴极的发射机理的研究被引量：1
《华中师范大学学报（自然科学版）》1997年第2期175-178,共4页杜士珍 柴成钢 
根据Ｙ２Ｏ３－Ｉｒ阴极研制过程中观察到的一些物理现象，结合扫描电镜对Ｙ２Ｏ３－Ｉｒ阴极表面化学成份分析的图谱，运用物理化学理论对该阴极的发射物质结合态进行研究．最后，在综合比较氧化物阴极的二种发射模型的基础上。
关键词：发射机理 阴极电子学 氧化钇 阴极 铱 
Si雪崩冷阴极的电子发射特性
《福州大学学报（自然科学版）》1995年第3期30-34,共5页郭太良 王树程 章秀淦 林渠渠 高怀蓉 
国家自然科学基金
采用离子注入和快速退火法可制备Ｓｉ浅ｐ－ｎ结阵列，通过真空清洁处理和铯氧激活后制成阵列式Ｓｉ浅ｐ－ｎ结雪崩冷阴极，其最高电子发射效率为１６％。本文介绍阵列式Ｓｉ雪崩冷阴极的制各方法，给出了Ｓｉ冷阴极的雪崩电子发射特性...
关键词：雪崩电子发射 冷阴极 稳定性 阴极电子学 
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