阴极温度分布对发射本领测量的影响  

Influence of Diode Cathode Temperature Distribution on Emission Ability

作　　者：窦菊英[1] 朱长纯[1] 皇甫鲁江[1] 杨德清[2] 

机构地区：[1]西安交通大学,西安710049 [2]云南大学

出　　处：《西安交通大学学报》1999年第11期15-18,共4页Journal of Xi'an Jiaotong University

基　　金：国家自然科学基金资助项目( 696760 0 4 ) ;国家教委博士点基金资助项目! ( 960 6980 3 )

摘　　要：对阴极电子学中测试用二极管的阴极丝进行了热特性分析.采用数值方法计算了常用基底W、Mo阴极金属丝在不同条件下的温度分布,同时首次给出了这两种材料在宽温区内导热系数、辐射系数的计算公式.对阴极温度的不均匀导致的发射电流偏差进行了计算分析,并首次得到了发射电流误差小于5%的阴极丝最小长度的计算公式.这些公式对圆筒形测试二极管几何参数的选取具有实际的意义.Temperature distributions of the diode cathode of W and Mo are calculated by finite diffe rence under different conditions. Non uniform temperature distribution causes deviation in emission current, the error of which is less than 5% for the shortest length of diode cathode. The results provide the means for choosing the geometric parameters of a cylindrical diode.

关 键 词：二极管 阴极丝 温度分布 阴极电子学 测试 

分 类 号：O462.1[理学—电子物理学]